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福井工業高等専門学校教員総覧

学科・教室 電気電子工学科
フリガナ アキヤマハジメ
職名 教 授
氏名 秋山肇
e-mail akiyama@fukui-nct.ac.jp
専門分野 パワー半導体デバイス,環境発電,電気技術史
研究課題 ・次世代半導体デバイスの宇宙利用,
・次世代環境発電技術の防災への適用
学位 博士(工学)
学位論文 ZnTeのヘテロ構造に関する研究
学協会等 電気学会,応用物理学会,日本産業技術史学会、IEEE
著書論文 【査読論文】
・秋山 肇,内海 淳,田中 徹,齋藤勝彦,西尾光弘,郭其新:「直接接合技術を用いたp-ZnTe/n-ZnOヘテロ接合の作製と電気特性評価」電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌),Vol.136, No.12, pp.1762-1767 (2016). DOI: 10.1541/ieejeiss.136.1762
・秋山 肇:「九州帝国大学における水銀整流器の研究について」,九州大学博物館研究報告,第14号,59-64頁(2016).
・H. Akiyama, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, and Q. Guo: “Fabrication of ZnO/ZnTe heterojunction by using a Room Temperature Direct Bonding technology” Physica status solidi C11, 7-8, 1218-1220 (2014).
・Q. Guo, K. Takahashi, K. Saito, H. Akiyama, T. Tanaka, and M. Nishio: “Band alignment of ZnTe/GaAs heterointerface investigated by synchrotron radiation photoemission spectroscopy” Applied Physics Letters 102, 092107 (2013).
・H. Akiyama, H. Hirano, K. Saito, T. Tanaka, and Q. Guo: “Epitaxial Growth of ZnTe Layers on ZnO Bulk Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy” Japanese Journal of Applied Physics 52, 040206 (2013).
・Q. Guo, H. Akiyama, Y. Mikuriya, K. Saito, T. Tanaka, and M. Nishio: “Growth of ZnTe layers on (111) GaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy” Journal of Crystal Growth 341, pp.7-11 (2012).
(2011年以前の査読論文は省略)

【国際学会(査読有)】
・H. Akiyama, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, and Q. Guo: “Fabrication of ZnO/ZnTe heterojunction by using a Room Temperature Direct Bonding technology” The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2013), September 9-13, Nagahama Royal Hotel, Nagahama, Japan. Abstract 89-We-P10 (2013).
・H. Akiyama, T. Idekoba, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, and Q. Guo: “Characterization of ZnTe layers on (0001) ZnO substrates by metalorganic vapor phase epitaxy” The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), May 19-23, Kobe Convention Center, Kobe, Japan. Abstract MoPC-01-09 (2013).
・H. Akiyama, H. Hirano, T. Konomi, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, and Q. Guo: “Growth of ZnTe layers on (0001) ZnO substrates by metalorganic vapor phase epitaxy” The 8th International Forum on Advanced Materials Science and Technology (IFAMST-8), August 1-4, Fukuoka Institute of Technology, Fukuoka, Japan. Abstract 3A-OS01-06 (2012).
・ Q. Guo, H. Akiyama, H. Hirano, K. Saito, T. Tanaka and M. Nishio: “Characterization of ZnTe Epilayers on GaAs (111) Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy” The 16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI), May 20-25, Paradise Hotel Busan, Busan, Korea. Abstract TuP-59 (2012).
 (2011年以前の発表案件は省略)
取得特許 ・特許第6339345号, 「半導体評価装置および半導体評価方法」, 2018年5月18日登録
・特許第6237242号, 「半導体試験治具,試験方法」, 2017年11月10日登録
・特許第6233039号, 「半導体試験治具,測定装置,試験方法」, 2017年11月2日登録
・特許第6222271号, 「検査装置」, 2017年10月13日登録
・特許第6127826号, 「半導体試験治具」, 2017年4月21日登録
・特許第6109032号, 「半導体試験治具およびその搬送治具,ならびにそれらを用いた異物除去方法」, 2017年3月17日登録 (2017).
・特許第6084469号, 「半導体評価装置および半導体評価方法」, 2017年2月3日登録
・特許第6064831号, 「装置、試験方法」, 2017年1月6日登録
・特許第6053415号, 「半導体装置」, 2016年12月9日登録
・特許第6051831号, 「評価装置」, 2016年12月9日登録
・特許第6029535号, 「コンタクトプローブ」, 2016年10月28日登録
・特許第5987637号, 「評価装置」, 2016年8月19日登録
・特許第5968202号,「半導体評価装置」, 2016年7月15日登録
・特許第5943742号,「半導体検査治具およびそれを用いた半導体試験方法」, 2016年6月3日登録
・特許第5928203号,「検査装置」, 2016年5月13日登録
・特許第5896878号,「評価装置および評価方法」, 2016年3月11日登録
・特許第5892912号,「半導体装置の評価方法」, 2016年3月4日登録
・特許第5888051号,「ウエハ吸着方法,ウエハ吸着ステージ,ウエハ吸着システム」, 2016年2月26日登録
・特許第5885701号,「半導体装置の評価方法」, 2016年2月19日登録
・特許第5870762号, 「電気特性測定方法,コンタクトプローブ」, 2016年1月22日登録
・特許第5861557号, 「検査装置」, 2016年1月8日登録
 (2015年以前の登録特許は省略)
科研費等外部資金
共同研究・受託研究 ・共同研究:福井県立工業技術センター「電力制御デバイスの保護技術」〔2018年〜〕
学内活動 ・学生主事補 〔2018年〜〕
クラブ活動指導 ・吹奏楽部顧問 〔2018年〜〕
・合気道部顧問 〔2019年〜〕
社会貢献活動 ・九州大学総合研究博物館 協力研究員 〔2014〜2017年〕
・佐賀大学 客員研究員 〔2015〜2018年〕
・九州大学総合研究博物館 専門研究員 〔2017〜2018年〕
・電気学会 電気の知識ワーキンググループ委員 〔2017年〜〕
・電気学会 九州支部 協議員 〔2018年〜現在〕
受賞 ・発明協会九州地方発明表彰 「福岡県知事賞」〔2018年〕
摘要 技術士補(原子力・放射線),放射線取扱主任者(第2種一般),博物館学芸員